摘要：:三星电子,GAA架构,半导体芯【手机中国新闻】据外媒报道，三星公布，在位于韩国华城的工场开始了3nm半导体芯片的初期出产。与利用FinFET的上一代芯片差异，三星利用了GAA (Gate All Around)晶体管架构，大大提高了
【手机中国新闻】据外媒报道，三星公布，在位于韩国华城的工场开始了3nm半导体芯片的初期出产。与利用FinFET的上一代芯片差异，三星利用了GAA (Gate All Around)晶体管架构，大大提高了功率。
半导体芯片
三星电子的3nm芯片回收了MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET) GAA架构，通过低落电源电压和加强驱动电流本领，能有效提高功率。而且，三星还在高机能智妙手机处理惩罚器的半导体芯片中也利用过纳米片晶体管。与纳米线技能对比，拥有更宽通道的纳米片具有更高的机能和效率。三星电子的客户可以通过调解纳米片的宽度，来定制本身需要的功耗和机能指标。
三星工场外部
为了辅佐芯片客户和相助同伴设计更好的芯片，并验证他们的想法需求，三星代工提供了一个不变的设计情况。通过SAFE(三星先进代工生态系统)相助同伴，如Ansys、Cadence、西门子和Synopsys，客户可以淘汰芯片设计、验证和核准进程所需的时间，并提高产物的靠得住性。
三星电子总裁兼代工认真人Siyoung Choi博士暗示:“三星电子将把下一代技能应用于制造业方面，并继承揭示出领先职位。我们将在竞争性技能开拓方面继承努力创新，成立有助于加速技能成熟度的流程。”
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