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三星拟投400多亿扩大芯片产能 明年量产V-NAND闪存

2020-06-01 17:29 作者:安卓在线 来源:网络整理 浏览:

摘要::三星,芯片,闪存【CNMO新闻】据外媒SAMMOBILE动静,三星打算扩大韩国的存储芯片产能。三星是存储器和存储芯片规模的全球率领者,该公司今朝已公布打算扩大其NAND闪存芯片的出产。自从疫情封闭以来,

  【CNMO新闻】据外媒SAMMOBILE动静,三星打算扩大韩国的存储芯片产能。

  三星是存储器和存储芯片规模的全球率领者,该公司今朝已公布打算扩大其NAND闪存芯片的出产。自从疫情封闭以来,它已在平泽工场投资2号流水线以扩大出产,来满意由计较机和处事器的不绝增长带来的需求。新工场的建树于上个月开始,三星暗示V-NAND闪存芯片的批量出产将从2021年下半年开始。它暗示,由于回收率的提高,将来的存储芯片将会用于5GAI人工智能)和IoT(物联网)。

三星打算扩大韩国的存储芯片产能(图源SAMMOBILE)
三星打算扩大韩国的存储芯片产能(图源SAMMOBILE)

  阐明人士说,三星将为新工场投资7万亿韩元至8万亿韩元(约合400多亿元人民币)。新出产线将满意NAND闪存芯片的中期和恒久需求。跟着数字糊口方法的不绝成长,该公司打算举办更多投资。三星的平泽厂区是世界上最大的两条内存出产线的地址地。

  三星电子存储器全球销售与营销执行副总裁Cheol Choi暗示:“这项新投资兑现了我们的理睬,纵然在艰巨时期,我们也将保持在存储器技能规模的领先职位。我们将继承为市场提供最优化的办理方案,同时为整个IT行业和整个经济的增长做出孝敬。”



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三星拟投400多亿扩大芯片产能 明年量产V-NAND闪存
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