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三星平泽2号工厂投产 生产EUV工艺第三代10nm D-RAM

2020-08-31 11:36 作者:安卓在线 来源:网络整理 浏览:

摘要::平泽2号工场,三星电子,三【CNMO新闻】三星电子于8月30日暗示,平泽2号半导体工场已经产出首批D-RAM产物。据相识,平泽2号半导体工场将认真出产半导体行业首款应用EUV(极紫外光刻)工艺的尖端第三代10纳米级(

   【CNMO新闻】三星电子于8月30日暗示,平泽2号半导体工场已经产出首批D-RAM产物。据相识,平泽2号半导体工场将认真出产半导体行业首款应用EUV(极紫外光刻)工艺的尖端第代10纳米级(1z) LPDDR5 Mobile D-RAM产物。

三星平泽2号工场投产 出产EUV工艺第三代10nm D-RAM

  平泽2号工场产出的16Gb LPDDR5 Mobile D-RAM产物是第一次操作EUV工艺量产的存储芯片。星电子暗示,这款产物拥有世上最大的容量和最快的运转速度,是业内第一款第三代10纳米(1z)级 LPDDR5产物。

  为应对市场对EUV工艺尖端产物的需求,三星电子从本年5月开始在平泽2号工场制作代工出产线,从6月份开始制作NAND闪存半导体出产线、应对市场对尖端V NAND产物的需求。这两条流水线都将在2021年下半年正式投产。

三星平泽2号工场投产 出产EUV工艺第三代10nm D-RAM

  三星电子暗示,“以量产D-RAM产物为起点,平泽2号工场还将建成新一代V NAND、超风雅代工产物出产线,成为高科技综合出产工场,为公司在第四次家产革命时代拉开半导体技能的差距发挥焦点浸染”。



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