摘要：:台积电,芯片,2nm,A14【手机中国新闻】台积电在2nm半导体制造节点方面取得重大研究打破，有望在2023年中期进入2nm工艺试出产阶段，并在一年后开始批量出产。今朝，台积电的最新制造工艺是5nm工艺，已用
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【手机中国新闻】台积电在2nm半导体制造节点方面取得重大研究打破，有望在2023年中期进入2nm工艺试出产阶段，并在一年后开始批量出产。今朝，台积电的最新制造工艺是5nm工艺，已用于出产A14仿生芯片。
据先容，台积电的2nm工艺将回收差分晶体管设计。该设计被称为多桥沟道场效应(MBCFET)晶体管，它是对先前FinFET设计的增补。值得留意的是，这也是台积电第一次将MBCFET设计用于其晶体管。台积电一位高管对外暗示，“我们乐观估量2023年下半年风险试产收益率将到达90%，这将有助于我们将来继承赢得苹果、汇达等主要厂商的大订单”。同时，他还提到，量产将于2024年开始。
台积电去年创立了2nm项目研发团队，寻找可行的成长路径。思量到本钱、设备兼容性、技能成熟度和机能等条件，2nm回收了基于环抱门（GAA）工艺的MBCFET。该布局办理了FinFET工艺收缩引起的电流节制泄漏的物理限制。 台积电,芯片,2nm,A14http://www.androidonline.net/news/xingyezixun/35172.html (责任编辑：admin) 
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